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Hasta hace poco, la resolución del FIB de plasma de Tescan estaba limitada a 25 nm, hecho que impedía su uso en las aplicaciones que requerían mayor precisión. Tescan ha mejorado aún más su plasma FIB de Xe aumentando el brillo de la fuente, consiguiendo una alta resolución con la columna (HR i-FIB) capaz de lograr una resolución de menos de 15 nm.

Esta mejora ha hecho el plasma FIB de Xe más versátil, extendiendo su gama de uso en áreas de aplicaciones tradicionalmente limitadas al FIB de Ga.

Con la nueva columna FIB de plasma de Xe de alta resolución, puede realizar tareas de laminado (milling) a gran escala en tiempos imbatibles con corrientes altas de hasta 1 μA y, por otro lado, realizar tareas utilizando el tamaño de punto más pequeño para todas aquellas aplicaciones que requieran mayor niveles de precisión. Ésta es una mejora muy significativa sobre el estado del arte de la técnica.

Con esta mejora, Tescan tiene ahora dos opciones de columna plasma FIB de Xe para elegir según sus necesidades específicas, las columnas i-FIB y HR i-FIB. Ambas columnas representan una solución concreta para superar las limitaciones de volumen en el milling del FIB, lo que permite velocidades que pueden ser hasta 50 veces más rápidas comparadas con FIB de Ga, permitiendo así una preparación y análisis de muestras rápidos y sin esfuerzo que excedan las dimensiones espaciales de 100 × 100 × 100 μm³ .

• Si escoge la columna i-FIB de Tescan conseguirá maximizar la productividad y el rendimiento en su laboratorio completando tareas de laminado o milling a gran escala en unos pocos minutos u horas con corrientes máximas de haz de iones de 2 μA.
• Si elige por el contrario la columna HR i-FIB podrá beneficiarse de un haz de iones potente pero más nítido que le permitirá no sólo completar tareas de milling a gran escala - con mejor resolución - sino también aplicaciones delicadas de nanoingeniería en corrientes de haz de iones bajas y ultrabajas con tamaños del punto reducidos.

El nuevo FIB de plasma de Xe de alta resolución se ha utilizado para reducir “el paso” central de 5 μm de ancho (marcado con la flecha roja) a una anchura inferior a 50 nm. (A) Descripción general que muestra el diseño de cuatro contactos. (B) Estrechez o paso al ser reducido. (C) Vista superior que muestra una anchura final de <50 nm.