Actualidad
ALD y PALD de óxido de aluminio
- Información
- Más información
En general, para depositar películas de óxido, en ALD se utiliza vapor de agua como el oxidante, mientras que en el PALD se usan radicales de oxígeno. En algunos procesos se requiere que no haya presencia de agua, como en la fabricación de OLEDs o semiconductores. El óxido de aluminio (Al23) se puede depositar con las dos técnicas, utilizando como precursor trimetilaluminio (TMA, C3H9Al).
El sistema SI ALD LL, fabricado por nuestro partner tecnológico Sentech, con fuente de plasma acoplada capacitivamente (fuente CCP) está diseñada para ALD y PALD indistintamente, sin realizar cambios de hardware para cambiar la técnica.
El resultado obtenido durante el proceso muestra la gran repetibilidad del sistema, tanto en el crecimiento de las capas en función del número de ciclos como en la homogeneidad del depósito.
La medida del espesor de las capas depositadas se puede realizar in-situ mediante el elipsómetro espectroscópico SE 800, fabricado también por Sentech.
Además, y en el caso que fuera necesario el trabajo en atmósfera inerte, el equipo es plenamente integrable en cajas de guantes, con el que se garantiza niveles de agua y oxígeno por debajo de 1ppm.
Más información sobre sistemas ALD de Sentech haciendo click aquí.
